| 标题: | 用于金属编码唯读记忆体中消除耦合杂讯干扰之方法 |
| 作者: | 张孟凡 温 岸 |
| 公开日期: | 21-十二月-2005 |
| 摘要: | 本发明提出一种用于金属编码唯读记忆体中消除耦合杂讯干扰之方法，此金属编码唯读记忆体包括复数条字元线、复数条位元线、复数个预充电电晶体以及复数个紧固电晶体。当这些位元线其中之一被选取时，相邻两侧之位元线藉由紧固电晶体而被紧固(clamping)至一固定之电压值(VDD或是GND或是其他电压)，这种紧固方法于这些邻近位元线上不会产生压降以及能同时于所选择之位元线上除去耦合杂讯，进而除去高速金属编码唯读记忆体中耦合杂讯所引起之读码失败以及达到较高的速度。 |
| 官方说明文件#: | G11C007/02 |
| URI: | http://hdl.handle.net/11536/106348 |
| 专利国: | TWN |
| 专利号码: | I246084 |
| 显示于类别： | Patents |
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