具高能隙偏移層結構之薄膜場效電晶體元件

Abstract

一種具高能隙偏移層結構之薄膜場效電晶體元件，係在基底上的源極/汲極和閘極底下閘極絕緣層之間,垂直疊放複數個不同能隙之半導體層,該複數個半導體層包含高-低-高-低能隙,低-高-低能隙,高-低-高能隙或低-高能隙結構的半導體層,其中低能隙半導體層鄰接閘極絕緣層,作為載子的通道層，在元件導通時能傳導載子，而鄰接通道層的高能隙偏移層,能在該元件關閉狀態下，阻擋傳導載子發生能帶到能帶的穿透傳輸，降低閘極感應之汲極漏電流,另外,鄰接高能隙偏移層的低能隙半導體層，形成半導體與金屬層之間的歐姆接觸區,當做源極/汲極的接觸層,而鄰接閘極的高能隙介面層，則是用來捕捉可能存在於通道層與閘極絕緣層之間的介面缺陷,使元件特性便不會受閘極絕緣層20的介面特性直接影響，並讓該元件在導通狀態下能維持相當大的導通電流，同時在關閉狀態下,能大幅降低元件之關閉電流,提高其開/關電流比，適合應用到液晶顯示器上,可以大幅提升其畫面品質。