薄膜電晶體及其製作方法

Abstract

本發明係揭露一種薄膜電晶體及其製作方法，首先形成底部具有之閘極介電層之一圖案化介電遮罩結構於一閘極堆疊結構上，以利用閘極介電層覆蓋閘極堆疊結構之閘極。由於圖案化介電遮罩結構之頂面具有至少二開口，因此透過此二開口藉由濺鍍沉積形成一半導體層於閘極介電層上，半導體層包含位於閘極上方之通道區，及位於開口下方之源極區與汲極區，通道區之厚度自邊界往中央遞減。本發明利用微影蝕刻的方式製作，能輕易達到深次微米尺度、高均勻性及高製程靈活度之目的。此外，亦與傳統製程相容，有利於面板與電路上的製作。