半導體元件及其製作方法

Abstract

一種半導體元件的製作方法，包括：提供一基材，該基材具有一底座以及位於該底座上的多個柱狀體；於各該柱狀體的側壁上以及該些柱狀體間的該底座上形成一保護層；於該些柱狀體的頂面上成長一第一型摻雜半導體材料，以形成多個第一型摻雜半導體結構，其中各該第一型摻雜半導體結構具有一底面以及連接該底面的多個側壁面，且各該側壁面相對該底面傾斜；於該些第一型摻雜半導體結構的該些側壁面上形成多層發光層，其中各該發光層包括一金屬元素，且該金屬元素於該些發光層中有3種以上的含量；以及於最上層之發光層上形成一第二型摻雜半導體層，其中最上層之發光層的側壁面與該第一型摻雜半導體結構之該底面夾一角度，該角度不大於65度。