下世代單一電晶體動態隨機存取記憶體

標題:	下世代單一電晶體動態隨機存取記憶體 Next Generation One-Transistor DRAM
作者:	荊鳳德 CHIN ALBERT 國立交通大學電子工程學系及電子研究所
公開日期:	2015
官方說明文件#:	MOST103-2221-E009-178-MY3
URI:	http://hdl.handle.net/11536/130143 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=11267843&docId=454313
顯示於類別：	研究計畫

APA	荊., & CHIN A. (2015). 下世代單一電晶體動態隨機存取記憶體. https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=11267843&docId=454313.
Bibtex	@article{2015, title={下世代單一電晶體動態隨機存取記憶體}, author={荊鳳德 and CHIN ALBERT}, journal={https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=11267843&docId=454313}, year={2015}, url={https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/130143}, }