半導體裝置及其製造方法

Abstract

本揭露係關於一些半導體裝置及其製造方法。在一實施例中，一半導體裝置及其製造方法包括圖案化一基底，使基底具有一第一區域以及延伸自基底的第一區域的一第二區域。沉積一隔離層於基底的第一區域的一表面上，以及磊晶形成一源極/汲極區域，其中源極/汲極區域位於隔離區上且鄰接基底的第二區域的數個側壁。