Full metadata record
DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 羅俊傑 | en_US |
dc.contributor.author | LUO, JUN-JIE | en_US |
dc.contributor.author | 黃凱風 | en_US |
dc.contributor.author | 謝正雄 | en_US |
dc.contributor.author | 楊聲震 | en_US |
dc.contributor.author | HUANG, KAI-FENG | en_US |
dc.contributor.author | XIE, ZHENG-XIONG | en_US |
dc.contributor.author | YANG, SHANG-ZHEN | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:02:56Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:02:56Z | - |
dc.date.issued | 1984 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT732123016 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/51937 | - |
dc.description.abstract | 用光化學氣相沈積法在銻化銦(111)面上生長氧化層,經Terman高頻法分析其半 能隙能態密度約為1012㎝-12ev-1;電容--電壓曲線的測量,配合溫壓應力試驗 及遲滯現象的研究,指出氧化層中的陷阱和易動電荷是造成MOS元件不穩定的主要 因素。 經過退火處理的樣品,測量分析後發現能態度密度有明顯降低,陷阱和易動電荷的效 應亦減弱許多,證明退火處理對改善光人學氣相沈積法生長的氧化層有很大助益。 由電容暫態測量分析,證明少數載體主要產生自銻化銦內部空乏區,表面能態對產生 電荷的貢獻,可藉在銻化銦表面形成反相層予以減低;產生壽命期和其他氧化法測得 結果一致,因此銻化銦晶川在光化學氣相沈積法中,沒有受到明顯的損害。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 光化學 | zh_TW |
dc.subject | 氣相沈積法 | zh_TW |
dc.subject | 銻化銦 | zh_TW |
dc.subject | 氧化層 | zh_TW |
dc.subject | MOS 結構 | zh_TW |
dc.subject | 電容 | zh_TW |
dc.title | 光化學氣相沈積法製備的銻化銦MOS 結構之估量 | zh_TW |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 光電工程學系 | zh_TW |
Appears in Collections: | Thesis |