以溴蒸氣通入光化學氣相沉積系統所製成SI和InSbMIS 二極體的評估

Abstract

在本論文中主要的目標有三。一是要建立一套自行設計的光化學氣相沈積系統，希望 能夠在晶片上沈積均勻厚度的sio︿2氧化層。我們自製系統是需要汞作為催化劑的間 接反應系統。這個系統有盛放晶片的盒子可以旋轉和系統組件易於變換的特性。利用 這套自製的系統在２英吋的１／４塊矽晶片沈積出來的sio︿2氧化層的厚度差可以低 到３％。二是建立一套MOS特性的量測系統。包括HP ４２８０A １MHz C Meter，HP ７４４０A Plotter，並以IBM PC Xt 來控制。三是檢查溴蒸氣對半導體表面的蝕刻效 應，對於利用溴蒸氣來改善半導體介面的特性是一個值得深入探討的問題。