| 標題: | 具有奈米級微結構表面之高亮度垂直式氮化鎵發光二極體元件製作(II)-總計畫暨子計畫一：利用磊晶結構優化改善高功率發光二極體的效率下降(II) Improvement of Efficiency Droop in High Power Light-emitting Diodes by Optimization of Epitaxial Structure (II) |
| 作者: | 張俊彥 CHANG CHUN-YEN 國立交通大學電子工程學系及電子研究所 |
| 關鍵字: | 氮化鎵;發光二極體;效率驟降;化學性濕蝕刻剝離法;GaN;LED;Droop;Chemical Lift-off |
| 公開日期: | 2013 |
| 官方說明文件#: | NSC102-2623-E009-004-ET |
| URI: | http://hdl.handle.net/11536/89422 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=2858475&docId=405804 |
| 顯示於類別： | 研究計畫 |
