在四族半導體表面上的超薄離子固體自我組裝與其薄膜、介面性質

Abstract

現今的尖端材料研究課題常須要各種互補的專門技術合作研究，而這種合作越來越多是由跨國界的團隊完成。美國國家科學基金會今年宣佈了新的跨國界材料研究獎助計劃，國科會也由國際合作處宣佈提供對等的合作計劃申請。在這個獎助計劃模式下，我們提議和享譽國際的美國伊利諾大學物理系江台章教授實驗室合作研究在四族半導體表面上的超薄離子固體自我組裝與其薄膜、介面性質。江台章教授同時也是該大學在國際上極有名的材料研究中心資深副主任。 四族半導體是基體電路的最重要基板材料，和此有關的薄膜生長與特性當然提供了微電子元件尖端製造技術的重要進步推動力。雖然過去二十年中，許多的研究工作已經提供了四族半導體表面與各種金屬、半導體體、介電質薄膜的重要薄膜的生長知識與其物理特性，但和離子固體薄膜有關的研究則很少。 我們計劃利用我們實驗室專長的掃瞄探針顯微技術、同步輻射核心層光電子能譜術，結合美國合作組的角分析光電子能譜術、x-光繞射技術對超薄離子固體薄膜在四族半導體表面上的自我組裝與其薄膜、介面性質作深入研究。具體研究題目包括：１、矽鍺表面上超薄離子固體薄膜生長模式；２、鹼金屬滷化鹽晶體的原子層生長控制研發；３、鹼金屬滷化鹽薄膜的晶體結構參數；４、介面間電子轉移與鍵結特性；５、二維離子固體電子價電子結構。