電阻式記憶體新穎材料之開發與機制研究(2/2)

標題:	電阻式記憶體新穎材料之開發與機制研究(2/2) Research on Novel Materials and Mechanisms of Resistive Random-Access Memory (II)
作者:	施敏 SZE SIMON MIN 國立交通大學電子工程學系及電子研究所
公開日期:	2013
官方說明文件#:	NSC102-2221-E009-004
URI:	http://hdl.handle.net/11536/90704 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=3163535&docId=426104
顯示於類別：	研究計畫