新世代鐵電非揮發性記憶元件(III)

標題:	新世代鐵電非揮發性記憶元件(III) Next Generation Non-Volatile Ferroelectric Memory (III)
作者:	曾俊元 TSEUNG-YUENTSENG 國立交通大學電子工程學系
公開日期:	2003
官方說明文件#:	NSC92-2215-E009-016
URI:	http://hdl.handle.net/11536/92462 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=873418&docId=167320
顯示於類別：	研究計畫

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