| 標題: | 應用於射頻積體電路的矽鍺雙載子電晶體模型 SiGe Bipolar Transistor Model for RFIC Applications |
| 作者: | 孟慶宗 CHINCHUNMENG 交通大學電信工程系 |
| 公開日期: | 2002 |
| 官方說明文件#: | NSC91-2622-E009-033-CC3 |
| URI: | http://hdl.handle.net/11536/92676 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=792300&docId=152186 |
| 顯示於類別： | 研究計畫 |
- High frequency property optimization of heterojunction bipolar transistors using geometric programming / Li, Yiming;Chen, Ying-Chieh
- Small-signal modeling of SiGeHBTs using direct parameter-extraction method / Chen, Han-Yu;Chen, Kun-Ming;Huang, Guo-Wei;Chang, Chun-Yen
- 雙載子電晶體中高注入電流之研究 / 錢逸峰;Yih-Feng Chyan;施敏、張俊彥;Simon Ming Sze、Chun-Yen Chang
- 集極相關製程及結構對於0.18微米世代之矽鍺異質接面雙極性電晶體直流及射頻效能影響的物理機制分析以及銅製程相容低介電常數材質之電性強化技術開發 / 曾明豪;Ming-Hau Tseng;張國明;Kow-Ming Chang
- Linearity and power characteristics of SiGeHBTs at high temperatures for RF applications / Chen, KM;Peng, AS;Huang, GW;Chen, HY;Huang, SY
Loading...