鍺電晶體之費米能階鎖定及介面反應的探討與改進

標題:	鍺電晶體之費米能階鎖定及介面反應的探討與改進 Ge Nmosfet Improvement by Lowering Fermi-Level Pinning and Interface Reaction
作者:	荊鳳德 CHIN ALBERT 國立交通大學電子工程學系及電子研究所
公開日期:	2014
官方說明文件#:	NSC102-2221-E009-100-MY3
URI:	http://hdl.handle.net/11536/94054 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=8105593&docId=428333
顯示於類別：	研究計畫

APA	荊., & CHIN A. (2014). 鍺電晶體之費米能階鎖定及介面反應的探討與改進. https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=8105593&docId=428333.
Bibtex	@article{2014, title={鍺電晶體之費米能階鎖定及介面反應的探討與改進}, author={荊鳳德 and CHIN ALBERT}, journal={https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=8105593&docId=428333}, year={2014}, url={https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/94054}, }