標題: 第三、五族雜質在矽、鍺晶面上氣相生長之原子與電子結構研究
Atomic Level Investigation of Boron and Phosphorus Chemical Vapor Deposition on Si, Ge Surfaces
作者: 林登松
DENG-SUNGLIN
交通大學物理研究所
關鍵字: 半導體;雜質;化學氣相沈積;表面物理;Semiconductor;Impurity;Chemical vapor deposition (CVD);Surface physics
公開日期: 1999
官方說明文件#: NSC88-2112-M009-005
URI: http://hdl.handle.net/11536/94413
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=426144&docId=76091
顯示於類別:研究計畫


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