| 標題: | 氮化鎵族光電材料與元件之研發---子計畫II：氮化鎵族光電元件製程之開發(I) Development of Fabrication Process for Nitride-Based Optoelectronic Devices (I) |
| 作者: | 王興宗 交通大學光電工程研究所 |
| 關鍵字: | 氮化鎵;光電元件;製造程序;GaN;Optoelectronic device;Fabrication process |
| 公開日期: | 1999 |
| 官方說明文件#: | NSC88-2215-E009-022 |
| URI: | http://hdl.handle.net/11536/94715 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=461758&docId=84663 |
| 顯示於類別： | 研究計畫 |
文件中的檔案：
若為 zip 檔案，請下載檔案解壓縮後，用瀏覽器開啟資料夾中的 index.html 瀏覽全文。
