標題: | 砷離子佈植砷化鎵的特性研究 Characterization of Arsenic Ion Implanted GaAs |
作者: | 張振雄 CHANG CHEN-SHIUNG 國立交通大學光電工程研究所 |
關鍵字: | 砷化鎵;非晶質;深能階缺陷;薄膜;GaAs;Amorphous;Deep level trap;Thin film |
公開日期: | 1996 |
官方說明文件#: | NSC85-2215-E009-064 |
URI: | http://hdl.handle.net/11536/96120 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=234693&docId=43086 |
顯示於類別: | 研究計畫 |