穿隧氧化層內漏電流之暫態特性與物理機制

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Keywords

氧化層漏電流 , 暫態特性 , 物理機制 , 快閃記憶體 , 穿隧氧化層 , Stress induced leakage current (SILC) , Transient characteristic , Mechanism , Flash EEPROM , Tunnel oxide

URI

https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=444198&docId=80441
https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/94450

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研究計畫;;Research Plans