降低化學氣相沉積銅膜電阻率及提高銅膜Cu（111）／Cu（200）晶向比之電漿處理製程
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | I261873 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 陳茂傑 | en_US |
| dc.contributor.author | 林成利 | en_US |
| dc.contributor.author | 陳鵬森 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:17:13Z | |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:17:13Z | |
| dc.date.issued | 2006-09-11 | en_US |
| dc.description.abstract | 本發明關於一種新穎的半導體製程，其特徵在於基板的電漿前置處理及/或後續的銅膜退火處理，利用此項處理步驟可以沉積出具有低電阻率及Cu(111)/Cu(200)高晶向比的化學氣相沉積銅膜，而改善化學氣相沉積銅膜之特性。 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/205 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | C23C016/513 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/106319 | |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 降低化學氣相沉積銅膜電阻率及提高銅膜Cu（111）／Cu（200）晶向比之電漿處理製程 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |