獨立閘極控制靜態隨機存取記憶體

Abstract

本發明提供一種靜態隨機存取記憶體，為七顆鰭狀電晶體架構，其使用獨立閘極超高臨界電壓的鰭狀場效電晶體，達到類似堆疊性質以消除讀取干擾以及半選取干擾，同時使用保持電路和讀取電壓控制，來降低讀取時位元線上的漏電流。再者，能有效解決先前技術使用六顆電晶體的SRAM架構，操作於較低電壓下，容易發生讀取錯誤的問題。