控制奈米碳管管束密度的方法與奈米碳管的製造方法
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | I299032 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 郭正次 | en_US |
| dc.contributor.author | 潘扶民 | en_US |
| dc.contributor.author | 陳柏林 | en_US |
| dc.contributor.author | 張峻愷 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:17:00Z | |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:17:00Z | |
| dc.date.issued | 2008-07-21 | en_US |
| dc.description.abstract | 一種控制奈米碳管管束密度的方法,適於利用一化學氣 相沉積法在一陽極氧化鋁模板的奈米級孔洞內成長奈米碳 管,其特徵在於陽極氧化鋁模板係經由一電解拋光步驟和 之後的兩階段陽極氧化處理,以形成具有陣列排列的奈米 級孔洞;以及利用控制化學氣相沉積法的反應氣氛之種類 與比例,來控制奈米碳管之管束密度。因此,本發明能有 效提昇奈米碳管之應用性。 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | B82B003/00 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | C23C016/26 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | C23C016/458 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | C01B031/02 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | B82B003/00 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | C23C016/26 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | C23C016/458 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | C01B031/02 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/106228 | |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 控制奈米碳管管束密度的方法與奈米碳管的製造方法 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |