具紫外光吸收層之薄膜電晶體

Abstract

一種薄膜電晶體，包括：一透明基板：一閘極，該閘極設置於該透明基板上，其中該閘極之材料係由銦錫氧化物(ITO,Indium tin oxide)、銦鋅氧化物(IZO,indium zinc oxide)，摻雜鋁之氧化鋅(AZO,Al-doped ZnO)，銅(Cu)，銀(Ag)，鋁(Al)以及鉬(Mo)所組成之族群中所選出；一閘絕緣層，該閘絕緣層設置在該閘極上及該透明基板上，其中該閘絕緣層之材料係由氧化鉬鋅(Mo-Zn-O)以及氧化鋯鋅(ZrZnO)所組成之族群中所選出；一半導體主動層，該半導體主動層設置在該閘絕緣層上，其中該半導體主動層之材料係由氧化鋅(ZnO)，氧化銦(In2 O3 )，ZTO，IGO，IZTO，AZTO以及HIZO所組成之族群中所選出；一電極層，該電極層設置在該半導體主動層上且曝露出部份該半導體主動層，其中該電極層之材料係由銦錫氧化物(ITO,Indium tin oxide)，銦鋅氧化物(IZO,indium zinc oxide)，摻雜鋁之氧化鋅(AZO,Al-doped ZnO)，銅(Cu)，銀(Ag)，鋁(Al)以及鉬(Mo)所組成之族群中選出；以及一紫外光吸收層，設置在該半導體主動層上，其中該紫外光吸收層係由氧化鉬鋅(Mo-Zn-O)以及氧化鋯鋅(ZrZnO)所組成之族群中所選出。