利用離子佈植形成金屬誘發結晶的製作方法
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | I455186 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 張志榜 | en_US |
| dc.contributor.author | 吳耀銓 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:16:47Z | |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:16:47Z | |
| dc.date.issued | 2014-10-01 | en_US |
| dc.description.abstract | 本發明提供一種利用離子佈植形成金屬誘發結晶的製作方法，其係提供一絕緣基板並於基板上形成一非晶矽層，隨後於非晶矽層上形成一圖案化阻擋層，以定義出至少一顯露出部分非晶矽層的開口，於開口內沉積一催化元素層，對催化元素層進行離子佈植，以將催化元素層之金屬離子驅入非晶矽層內，最後移除催化元素層與圖案化阻擋層並進行退火製程，以使非晶矽層形成無催化元素殘留與污染的較佳結晶。 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/265 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/20 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/106083 | |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 利用離子佈植形成金屬誘發結晶的製作方法 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |