八吋矽晶圓半導體LPCVD製程設備之研發---子計畫二：LPCVD製程設備中加熱系統之熱輻射量測及晶圓熱應力分析(II)
| dc.contributor.author | 曲新生 | en_US |
| dc.contributor.author | CHU, HSIN-SEN | en_US |
| dc.contributor.department | 交通大學機械工程系 | zh_TW |
| dc.date.accessioned | 2014-12-13T10:38:00Z | |
| dc.date.available | 2014-12-13T10:38:00Z | |
| dc.date.issued | 1998 | en_US |
| dc.description.abstract | 本計劃為三年計劃，其主要目的在探討LPCVD製程設備中加熱系統之熱輻射量測及晶圓熱應力分析。研發的主題有:(1) 量測加熱燈源之輻射頻譜(2) 晶圓輻射特性之量測及分析(2)分析晶圓在加熱過程中之溫度分佈(3) 晶圓之熱應力分析(4) 製程參數對晶圓溫度分佈與熱應力之影響分析研發目標有:(4) 經由實驗量測以瞭解加熱燈源之輻射能頻譜分佈，進而對加熱燈源做最佳化設計之依據(5) 經由實驗量測晶圓之垂直穿透率及反射率進而推導出晶圓之輻射特性(6) 藉由晶圓加熱過程中之溫度分佈以及熱應力分佈分析，找出高品質Ta2O5薄膜之最佳化參數(7) 經由加熱系統之分析資料，設計新的加熱系統以獲得大面積晶圓等溫區域及高品質Ta2O5薄膜本年度計畫之內容以下面四個步驟來進行:(1) 以輻射頻譜量測系統量測RT-LPCVD製程設備中加熱燈源之輻射頻譜(2) 建立晶圓穿透率及反射率量測系統並測試完成(3) 建立數值計算模擬晶圓在製程中溫度分佈與熱應力分析(4) 找出晶圓均質化最佳的加熱參數 | zh_TW |
| dc.description.sponsorship | 行政院國家科學委員會 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | NSC87-2218-E009-007 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=340914&docId=60783 | en_US |
| dc.identifier.uri | https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/95005 | |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.subject | 反應爐 | zh_TW |
| dc.subject | 熱輻射 | zh_TW |
| dc.subject | 晶圓 | zh_TW |
| dc.subject | 熱應力 | zh_TW |
| dc.subject | 溫度分佈 | zh_TW |
| dc.subject | Reactor | en_US |
| dc.subject | Thermal radiation | en_US |
| dc.subject | Wafer | en_US |
| dc.subject | Thermal stress | en_US |
| dc.subject | Temperature distribution | en_US |
| dc.subject | LPCVD | en_US |
| dc.title | 八吋矽晶圓半導體LPCVD製程設備之研發---子計畫二：LPCVD製程設備中加熱系統之熱輻射量測及晶圓熱應力分析(II) | zh_TW |
| dc.title | Study on the Heating System of LPCVD Process Equipment and Thermal Stress of Wafer (II) | en_US |
| dc.type | Plan | en_US |