半導體元件及其製作方法

Abstract

本發明提出一種半導體元件及其製作方法。該半導體元件包含:三五族半導體層;一氧化鋁層,形成於該三五族半導體層上;以及一鑭系氧化物層,形成於該氧化鋁層上。該製造半導體元件的方法包含:形成一氧化鋁層於三五族半導體層與一鑭系氧化物層之間,以防止該三五族半導體層與該鑭系氧化物層之間的原子擴散作用。