在矽晶片上成長鍺薄膜之方法

Abstract

本發明藉由超高真空化學氣相磊晶法(UHVCVD)及即時高溫退火技術等之結合，以提供於矽晶片上成長鍺磊晶之方法。本發明之方法藉由將差排缺陷侷限化並利用應變界面阻擋該缺陷之技術從而降低鍺磊晶層之厚度、缺陷密度及表面粗糙度等之缺點。首先，利用標準清洗步驟以潔淨矽晶片，再以10%HF溶液浸濕及高溫預烘以去除表面之氧化層，隨後以超高真空化學氣相磊晶法(UHVCVD)，於一特定之操作條件下，在矽晶片上成長一層高鍺含量之矽鍺磊晶層(如0.8微米之Si0.1Ge0.9)。接著後續之步驟，進一步地成長第二或視需要第三層之矽鍺磊晶層(如0.8微米之Si0.05Ge0.95、Si0.02Ge0.98)，以利用各層之間形成之應變界面有效地阻擋未湮滅掉而傳遞上去之線差排。最後於該矽鍺磊晶層上成長一層鍺薄膜。