Ⅲ族氮化半導體的表面激發參數
| dc.contributor.author | 桂正楣 | en_US |
| dc.contributor.author | KWEI CHENG-MAY | en_US |
| dc.contributor.department | 國立交通大學電子工程學系及電子研究所 | zh_TW |
| dc.date.accessioned | 2014-12-13T10:28:43Z | |
| dc.date.available | 2014-12-13T10:28:43Z | |
| dc.date.issued | 2007 | en_US |
| dc.description.abstract | 當快速電子穿越一個固體表面時會產生表面激發。在射入固體之前或射出 固體之後，電子在真空中移動所產生激發的總機率通常用表面激發參數來詮 釋。Ⅲ族氮化物在雷射及發光二極體的應用上具有極大的重要性。在本計劃 中，我們將計算200-2000 eV 能量之電子，以各種不同穿越角度穿越Ⅲ族氮化 半導體表面的表面激發參數。這些參數將根據電磁介電理論加以計算，並使用 與光學資料匹配且滿足總和律所建立的延伸式德魯特介電函式。藉由分析表面 激發參數和電子能量，以及穿越角度的關係，我們將更進一步地找出匹配表面 激發參數的簡單通式。 | zh_TW |
| dc.description.sponsorship | 行政院國家科學委員會 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | NSC96-2221-E009-214 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1465107&docId=262656 | en_US |
| dc.identifier.uri | https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/88555 | |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | Ⅲ族氮化半導體的表面激發參數 | zh_TW |
| dc.title | Surface Excitation Parameter for III Nitride Semiconductors | en_US |
| dc.type | Plan | en_US |