可控制之單一量子點成長與其元件應用(I)

Abstract

在此為期兩年的計畫中，我們將要進行自組式量子點之定位成長與其元件應用的相 關研究。運用本研究群首先提出並發展出來的一個方法，我們預計結合電子束微影與 分子束磊晶再成長,於預先圖樣過之平台上形成單一量子點；因為量子點的成長對於應 力場相當敏感，我們可以利用事先設計的應力分佈，來達成選擇性成長；我們的方法 與其他人的主要不同在於，量子點可成長在遠離製程接觸過的表面；在計畫執行的第 一年中，利用我們新提出的結構與程序，將可實現高品質與可定位之單一量子點成長； 我們將建立氫氣清潔法以確保再成長樣品的潔淨性，並將檢驗與最佳化形成單一量子 點的相關參數；我們將使用原子力顯微鏡，穿隧式電子顯微鏡與光學量測來分析所成 長的量子點。在第二年中，我們將研究利用單一量子點之元件應用，電驅動之單一光 子源係主要目標元件。另一方面，利用類似方法與應力引發之垂直對準效應，量子分 子與量子點晶格的成長研究也會在第二年進行。