量子井線之製造與研究

dc.contributor.author	黃凱風	en_US
dc.contributor.author	HUANG KAI-FENG	en_US
dc.contributor.department	交通大學電子物理研究所	zh_TW
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:40:51Z
dc.date.available	2014-12-13T10:40:51Z
dc.date.issued	1993	en_US
dc.description.abstract	本計畫將採用Mesa蝕刻及傾斜超晶格法分別製作一維電子系統之量子井線,Mesa蝕刻法中週期出現線條圖案之印製係使用類似製作DFB雷射光柵所用之全相製版技術(HolographicLithography),而Mesa則以活性離子蝕刻法製成.傾斜超晶格法係在稍微朝( 011)方向斜傾(100)晶片之台階上長傾斜超晶格,使電子受到超晶格週期性位能變化之影響,製成量子井線.製成之樣品將做TEM分析,並量取其 Photoluminescence及PhotoluminescenceExcitation光譜,以瞭解其光電特性.	zh_TW
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.identifier.govdoc	NSC82-0208-M009-040	zh_TW
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=58334&docId=8570	en_US
dc.identifier.uri	https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/97886
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	量子井線	zh_TW
dc.subject	傾斜超晶格	zh_TW
dc.subject	活性離子蝕刻	zh_TW
dc.subject	Quantum well wires	en_US
dc.subject	Tilted superlattice	en_US
dc.subject	Reactive ion etch	en_US
dc.title	量子井線之製造與研究	zh_TW
dc.title	Fabrication and Evaluation of Quantum Well Wires	en_US
dc.type	Plan	en_US

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