雙觸發矽控整流元件與使用其之靜電保護電路
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | I223432 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 柯明道 | en_US |
| dc.contributor.author | 徐國鈞 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:17:25Z | |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:17:25Z | |
| dc.date.issued | 2004-11-01 | en_US |
| dc.description.abstract | 一種雙觸發矽控整流元件與使用其之靜電保護電路。此種雙觸發矽控整流元件係在一個P型基底中配置了數個 N+擴散區域、數個P+擴散區域、第一N型井區域、第二N型井區域和第三N型井區域。每一個N+擴散區域和P+擴散區域中間，都以淺溝渠結構加以隔離。在P+擴散區域內的其中二個，係雙觸發矽控整流元件的P型觸發區。而在N+擴散區域內的其中二個，係雙觸發矽控整流元件的N型觸發區。 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L023/60 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L023/60 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/106421 | |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 雙觸發矽控整流元件與使用其之靜電保護電路 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |