可容忍閘極崩毀之功率閘結構
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | I443807 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 楊皓義 | en_US |
| dc.contributor.author | 莊景德 | en_US |
| dc.contributor.author | 黃威 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:11:55Z | |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:11:55Z | |
| dc.date.issued | 2014-07-01 | en_US |
| dc.description.abstract | 本發明提供一種可容忍閘極崩毀之功率開關結構，其連接於一靜態隨機存取記憶體，功率閘結構包含第一互補式金氧半電晶體(CMOS)開關及第二互補式金氧半電晶體(CMOS)開關，兩者為不同閘極厚度或不同臨界電壓，利用正常閘極厚度或正常臨界電壓提供靜態隨機存取記憶體從睡眠模式或待機模式切換至啟動模式所需之電流；利用較厚的閘極厚度或較高臨界電壓提供予靜態隨機存取記憶體在工作模式所需之電流，藉以避免功率開關閘極崩毀的發生，進而影響靜態隨機存取記憶體的雜訊增益邊界、穩定性與效能。 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L027/092 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L029/40 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/103276 | |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 可容忍閘極崩毀之功率閘結構 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |