閘極堆疊結構及包含其之金屬氧化物半導體元件及閘極堆疊結構之製造方法
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | I505468 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 林岳欽 | en_US |
| dc.contributor.author | 張翼 | en_US |
| dc.contributor.author | 莊庭維 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2015-12-04T07:03:32Z | |
| dc.date.available | 2015-12-04T07:03:32Z | |
| dc.date.issued | 2015-10-21 | en_US |
| dc.description.abstract | 一種電晶體之閘極堆疊結構，包含：一基板；一半導體層，設置於該基板上；一閘極介電層，設置於該半導體層上，其中該閘極介電層係包含由氧化鑭(La2O3)、氧化鉿(HfO2)及包含氧化鑭/氧化鉿之該半導體層之一上表面層所組成之複合氧化物層；以及一閘極電極層，設置於該閘極介電層上。 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L029/78 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L029/40 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/128795 | |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 閘極堆疊結構及包含其之金屬氧化物半導體元件及閘極堆疊結構之製造方法 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |