矽酸鋁-氧化鋯-碳化矽的高溫氧化行為

Abstract

本實驗先以熱壓的方法製成矽酸鋁/氧化鋯/碳 化矽鬚晶或顆粒的複合物,再將之暴露在1000-1350 □的大氣中,其中碳化矽受到氣化作用而在表面 生成一層二氧化矽.在過去,矽酸鋁/氧化鋯/碳化 矽鬚晶複合物氧化行為的研究中,本作者曾依據氧化層的型態(Oxidation Morphologies)和距試片最表面 不同深度二氧化矽的厚度,將其氧化行為劃分為 兩種基本的模式.然至今為止,一般人對複合材料 的氧化行為仍不甚清楚,也未做過有系統的研究 工作;尤其是陶瓷基底成分的組成對氧化行為的 影響更是缺乏.本實驗的主要目的是要研究氧化鋯的含量和氧化 鋯中所含的相穩定劑(Phase Stabilizer)對矽酸鋁/氧 化鋯/碳化矽複合物氧化行為的影響,包含有下列 三個主要的方向.茲分述如下:ぇ由氧化試片單位表面積重量的變化對時間的變 化情形來研究複合物的氧化動力(Oxidation Kinetics) 現象.え在不同的氧化階段或深度,由金相顯微組織的 變化,再加上X-射線繞射分析所得到的結果,推演 出複合物的氧化機構(Oxidation Mechanism).ぉ以TEM觀察氧化試片的橫切面(Cross-section),實際 測量二氧化矽的厚度對深度的關係圖,來研判複 合物的氧化模式.