在矽（110）基板上設有壓縮應變矽鍺通道之N型金氧半電晶體架構
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | 200735344 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 羅廣禮 | en_US |
| dc.contributor.author | 簡昭欣 | en_US |
| dc.contributor.author | 楊宗 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:13:14Z | |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:13:14Z | |
| dc.date.issued | 2007-09-16 | en_US |
| dc.description.abstract | 本發明係提供一種在矽(110)基板上設有壓縮應變矽鍺通道之N型金氧半電晶體架構,其係包括一P^-型矽(110)基板、二離子植入區用於源極與汲極、一壓縮應變矽鍺通道層與一閘極結構,其中,在P^-型矽(110)基板上成長應變矽鍺電子通道層,以使得電子在【1-10】晶格方向上的傳導有效質量降低,提高電子在【1-10】方向上的傳導速度。因此,本發明係在矽(110)基板上可製作出高電子遷移率的N型金氧半電晶體。本發明所提出的N型金氧半電晶體還可以配合矽(110)基板上之高速P型金氧半電晶體以形成高性能之互補式金氧半電晶體。 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L029/04 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L029/772 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/104057 | |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 在矽（110）基板上設有壓縮應變矽鍺通道之N型金氧半電晶體架構 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |