以快速升溫方式成長之氧化層
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | I236073 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 張國明 | en_US |
| dc.contributor.author | 楊文誌 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:17:19Z | |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:17:19Z | |
| dc.date.issued | 2005-07-11 | en_US |
| dc.description.abstract | 本發明係為一以快速升溫方式成長之氧化層，利用快速升溫爐(RTP)系統，將溫度快速升溫到900度後，以不同氣流速率的氮氣與氧氣通入RTP系統中，形成一高氮低氧濃度的環境，進行15秒的氮氧化製程，可於矽晶圓上成長出厚度僅為1nm的氮氧化矽薄膜，其漏電流可降低至0.1A/cm2，比傳統的RTO oxide漏電流低約1~2個次序(orders)，並具有較佳的可靠度，可應用於晶圓及半導體等相關產業。 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/473 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/473 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/106372 | |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 以快速升溫方式成長之氧化層 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |