一種在砷化鎵半導體上的蕭基（Schottky）結構
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | 00540160 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 李承士 | en_US |
| dc.contributor.author | 張翼 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:17:30Z | |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:17:30Z | |
| dc.date.issued | 2003-07-01 | en_US |
| dc.description.abstract | 本發明係提供一種在砷化鎵(GaAs)半導體上的蕭基 (Schottky)結構，包括：一砷化鎵(GaAs)半導體基板 ；以及一金屬鈦(Ti)層，分佈於該砷化鎵(GaAs)半導 體基板上，以形成蕭基接觸；以及一擴散障礙層，分佈 於該金屬鈦(Ti)層上，用以阻擋金屬層之擴散；以及 一第一金屬銅(Cu)層，分佈於該擴散障礙層上；藉由 該擴散障礙層，俾可使後續的銅(Cu)金屬製程直接鍍 在第一金屬銅(Cu)層之上。 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L029/12 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L029/12 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/106462 | |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 一種在砷化鎵半導體上的蕭基（Schottky）結構 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |