應用金屬壓印方式來進行奈米碳管擇區生長之方法及其產生之結構
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | 00590985 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 吳耀銓 | en_US |
| dc.contributor.author | 趙志偉 | en_US |
| dc.contributor.author | 侯智元 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:17:27Z | |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:17:27Z | |
| dc.date.issued | 2004-06-11 | en_US |
| dc.description.abstract | 本案乃關於利用金屬壓印方式來進行奈米碳管擇區生 長的方法與其產生之結構，其中擇區生長之步驟包含：提 供一第一基板，並於該第一基板上形成一第一遮蔽層；以 一黃光微影技術處理該第一遮蔽層以形成複數個區域於該 第一基板。接著以一緩衝溶液對該複數個特定區域進行一 第一蝕刻以形成一第二遮蔽層於該第一基板，再以一化學 蝕刻液對該第一基板與該第二遮蔽層進行一第二蝕刻以形 成複數個尖型結構於該第一基板上。此後可分兩方式進 行，方式一為：先塗覆一金屬觸媒於該複數個尖型結構， 接著以該複數個尖型結構壓印於一第二基板，最後再將被 壓印之該第二基板進行奈米碳管生長；方式二則為：先塗 附一金屬觸媒於一第三基板，再以該複數個尖型結構壓印 該第三基板以使該複數個尖型結構分別帶有一金屬觸媒 球；最後再將該第一基板進行奈米碳管生長。 五、(一)、本案代表圖為：第 七 圖 (二)、本案代表圖之元件代表符號簡單說明： 61：第一金屬觸媒球 7：第二矽基板 71：壓印痕 8：第一奈米碳管 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | C01B031/02 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | C01B031/02 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/106436 | |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 應用金屬壓印方式來進行奈米碳管擇區生長之方法及其產生之結構 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |