電子與二氧化矽及氧化鎂的交互作用
| dc.contributor.author | 桂正楣 | zh_TW |
| dc.contributor.department | 交通大學電子研究所 | zh_TW |
| dc.date.accessioned | 2016-12-20T03:57:05Z | |
| dc.date.available | 2016-12-20T03:57:05Z | |
| dc.date.issued | 1993 | en_US |
| dc.description.abstract | 在介質內的電子對外界探測所造成的反應,通 常可分成價電子的貢獻和內層電子的貢獻.而價 電子的貢獻可由介電理論來描述.由「無規相位 近似」(RPA)所得的Linhard介電理論,可非常成功地 來描述簡單金屬中價電子的非彈性作用.加上修正,RPA理論已被使用在其他金屬和一些有簡單能 帶的半導體上.對於過渡金屬,絕緣體和其他半導 體,能帶躍遷所造成的激發能譜中寬大分佈損失 高�,使用問題複雜化.電漿激元的激發和能帶躍 遷,與光學介電函數及能量損失函數有極密切的 關聯.雖然詳細的介電函數需要有正確的能帶結 構,但是延伸的Drude介電函數已非常成功地使用在 III-V半導體上. | zh_TW |
| dc.description.abstract | en_US | |
| dc.description.sponsorship | 行政院國家科學委員會 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | NSC82-0208-M009-013 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=4420&docId=405 | en_US |
| dc.identifier.uri | https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/132145 | |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.subject | 能帶躍遷 | zh_TW |
| dc.subject | 能量損失函數 | zh_TW |
| dc.subject | 非彈性平均自由徑 | zh_TW |
| dc.subject | 非彈性散射函數 | zh_TW |
| dc.subject | 阻擋能力 | zh_TW |
| dc.subject | Interband transition | en_US |
| dc.subject | Energy loss function | en_US |
| dc.subject | Inelastic mean free path | en_US |
| dc.subject | Inelastic scattering function | en_US |
| dc.subject | Stopping power | en_US |
| dc.title | 電子與二氧化矽及氧化鎂的交互作用 | zh_TW |
| dc.title | Electron Interactions with SiO/sub 2/ and MgO | en_US |
| dc.type | Plan | en_US |
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