超高真空化學氣相沈積新穎複晶矽薄膜電晶體之低溫閘極介電層與新結構之研究---子計畫IV：超高真空化學氣相沉積低溫複晶矽薄膜電晶體之鈍化與可靠度之研究

dc.contributor.author	詹世雄	en_US
dc.contributor.department	交通大學材料科學與工程研究所	zh_TW
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:48:00Z
dc.date.available	2014-12-13T10:48:00Z
dc.date.issued	2000	en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.identifier.govdoc	NSC89-2215-E009-005	zh_TW
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=542190&docId=99607	en_US
dc.identifier.uri	https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/101204
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	超高真空化學氣相沈積法	zh_TW
dc.subject	複晶矽	zh_TW
dc.subject	薄膜電晶體	zh_TW
dc.subject	UHVCVD	en_US
dc.subject	Polysilicon	en_US
dc.subject	Thin film transistor	en_US
dc.title	超高真空化學氣相沈積新穎複晶矽薄膜電晶體之低溫閘極介電層與新結構之研究---子計畫IV：超高真空化學氣相沉積低溫複晶矽薄膜電晶體之鈍化與可靠度之研究	zh_TW
dc.type	Plan	en_US

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