利用四氟化碳電漿預處理改善高介電材料特性之製程

Abstract

本發明係揭露一種利用四氟化碳電漿預處理改善高介電材料特性之製程，其係在標準的互補式金氧半電晶體配合高介電係數材料的製程中，先利用電漿輔助化學氣象沈積(PECVD)產生的四氟化碳電漿對一矽基材進行預處理，使矽基材表面飽含氟原子，再於矽基材上方沈積一高介電係數介電材料，並進行氧氣的高溫退火，此時飽含氟原子的矽基材便不會與介電材料產生反應而形成矽化物，故可改善其介電特性。藉由此種方式形成的高介電係數介電材料係具有低漏電、高崩潰電壓及可靠度佳之優點。