包含有具優選方向成長之ＣｕＳｎ晶粒之電性連接結構及其製備方法
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | I476878 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 陳智 | en_US |
| dc.contributor.author | 林漢文 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2015-05-12T02:59:56Z | |
| dc.date.available | 2015-05-12T02:59:56Z | |
| dc.date.issued | 2015-03-11 | en_US |
| dc.description.abstract | 本發明係有關於一種包含有具優選方向成長之Cu6Sn5晶粒之電性連接結構及其製備方法。本發明之電性連接結構之製備方法，包括步驟：(A)提供一第一基板；(B)於第一基板之部分表面形成一第一奈米雙晶銅層；(C)使用一銲料將第一基板與一第二基板連接，第二基板具有一第二電性墊，第二電性墊包括第二奈米雙晶銅層，且銲料係配置於第一及第二奈米雙晶銅層之間；以及(D)以200℃至300℃的溫度進行迴焊(reflow)使銲料部分轉換為一介金屬化合物(intermetallic compound,IMC)層，且介金屬化合物層係包括具優選方向(preferred orientation)成長之Cu6Sn5晶粒；其中，第一及第二奈米雙晶銅層之50%以上的體積係分別包括雙晶銅晶粒。 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L023/48 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L023/488 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/122896 | |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 包含有具優選方向成長之ＣｕＳｎ晶粒之電性連接結構及其製備方法 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |