靜態隨機存取記憶體
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | I484499 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 莊景德 | en_US |
| dc.contributor.author | 楊皓義 | en_US |
| dc.contributor.author | 盧建宇 | en_US |
| dc.contributor.author | 陳建亨 | en_US |
| dc.contributor.author | 張琦昕 | en_US |
| dc.contributor.author | 黃柏蒼 | en_US |
| dc.contributor.author | 賴淑琳 | en_US |
| dc.contributor.author | 黃威 | en_US |
| dc.contributor.author | 周世傑 | en_US |
| dc.contributor.author | 杜明賢 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2015-12-04T07:03:18Z | |
| dc.date.available | 2015-12-04T07:03:18Z | |
| dc.date.issued | 2015-05-11 | en_US |
| dc.description.abstract | 1.一種靜態隨機存取記憶體，其包含：一預充裝置，其連接至一第一區域位元線，以對該第一區域位元線進行預充；一第一單元行陣列/周邊電路，連接至該第一區域位元線，該第一單元行陣列具有多個單元以暫存資料，該多個單元連接至該第一區域位元線，該第一單元行陣列/周邊電路具有一第一單元行陣列；以及一第一漣波緩衝裝置，其連接至該第一區域位元線及一第二區域位元線，該第一漣波緩衝裝置將該第一區域位元線的資料傳遞至該第二區域位元線，其中，該第一單元行陣列的一選擇訊號沒有動作時，一第一PMOS電晶體導通，以由一高電位對該第一區域位元線進行預充，該第一單元行陣列的該選擇訊號動作時，該第一PMOS電晶體關閉，該第一區域位元線處於浮接狀態。 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | G11C007/12 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | G11C011/413 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/128715 | |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 靜態隨機存取記憶體 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |