橫向絕緣閘雙極性電晶體結構

Abstract

本發明係提供一種橫向絕緣閘雙極性電晶體結構，係使該電晶體之陽極端與陰極端皆為P^＋／N^＋平行對接節段，但卻為分離且對稱式之結構，若以電子／電洞路徑而言，則為電子／電洞路徑完全分離，如此可大幅提高元件之閂鎖電流，改善元件的安全操作區域。並可使該電晶體結合三維降低表面電場原理，使其陽極端／陰極端亦為P^＋／N^＋平行對接節段，而其漂移區則分別是N^–、P^–的平行帶狀區塊，形成一橫向絕緣閘雙極性電晶體與一逆偏PIN飛輪二極體並聯的結構，若以電子／電洞路徑而言則為電子／電洞路徑部份分離，使元件除了在截止狀態時具有高耐壓特性外，在導通狀態時亦具有閂鎖現象的抗受能力。