寬能隙半導體材料之拉曼散射與光學性質研究

Abstract

本計畫擬對於寬能隙光電半導體材料(如硫 化鋅、氮化鎵、碳化矽、硒化鋅或硫化鎘等) 之光學性質進行穿透、反射和光激發測量,並 分析其能隙隨溫度、組成比例和摻雜濃度變化 的關係.另外將使用拉曼散射方法檢查其聲子 頻譜與內部結構性質是否存有晶格不匹配之應 力效應及因化合物組成改變引致能隙移動所造 成之共振效應,與雜質濃度所形成能隙間能級 是否產生活化躍遷,再者由不同厚度樣品的拉 曼訊號可檢驗有限尺寸效應,並作為改進製備 程序的參考.