一種在三族氮化物磊晶過程中降低缺陷產生的方法
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | 201135809 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 張翼 | en_US |
| dc.contributor.author | 黃延儀 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:12:14Z | |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:12:14Z | |
| dc.date.issued | 2011-10-16 | en_US |
| dc.description.abstract | 本發明揭露一種在三族氮化物磊晶過程中降低缺陷產生的方法，首先提供一異質基板，再以分子束磊晶法沉積形成具有平滑表面的第一層三族氮化物於該異質基板上，係可用以抑制螺旋線差排的形成；接著以分子束磊晶法沉積形成第二層三族氮化物，係可用以成為彎曲刃線差排的成長方向；最後，使用遷移促進磊晶法形成平滑的第三層三族氮化物於該第二層三族氮化物的表面，可以使該第二層三族氮化物表面的吸附原子增強擴散進行的效果，藉以修復該第二層三族氮化物的表面。 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/203 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/103538 | |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 一種在三族氮化物磊晶過程中降低缺陷產生的方法 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |