電阻式記憶體裝置及其操作方法
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | I484490 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 劉柏村 | en_US |
| dc.contributor.author | 許沁卉 | en_US |
| dc.contributor.author | 范揚順 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2015-12-04T07:03:18Z | |
| dc.date.available | 2015-12-04T07:03:18Z | |
| dc.date.issued | 2015-05-11 | en_US |
| dc.description.abstract | 1.一種電阻式記憶體裝置的操作方法，其中該電阻式記憶體裝置包括至少一電阻式記憶體元件，該電阻式記憶體元件包括一底電極、配置於該底電極上的一非晶態氧化銦鎵鋅(amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide，a-IGZO)層、配置於該非晶態氧化銦鎵鋅層上的一鈦層以及配置於該鈦層上的一頂電極，該操作方法包括：提供電訊號給該電阻式記憶體元件，以改變該電阻式記憶體元件的電阻值。 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | G11C013/00 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/128714 | |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 電阻式記憶體裝置及其操作方法 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |