以半導體製程形成輻射熱測定儀元件的結構及方法

Abstract

本發明揭露一種以半導體製程形成輻射熱測定儀元件的結構及方法。本發明利用簡單的製程步驟,以及溫度低於攝氏400度的互補式金氧半導體(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)製程相容技術來實現具有高積集因子(Fill Factor)、高良率以及低製作成本的室溫輻射熱測定儀陣列,同時兼顧元件的整體熱特性表現,以及元件結構的完整性。