一種半導體元件製程

Abstract

1.一種不含銦與鎵元素之金屬氧化物薄膜的半導體元件製程，至少包含下列步驟：製備一半導體元件，其中該半導體元件的結構具有複數個缺陷，至少包含：提供一基板，該基板係由矽，一玻璃基板以及一塑膠基板群組中所選出；形成一閘極於該基板上；形成一閘極介電層於該閘極上；進行一第一氫電漿處理；形成一主動層於該閘極介電層上，該主動層為一金屬氧化物薄膜，其中該金屬氧化物薄膜係為不含銦與鎵元素之金屬氧化物薄膜；進行一第二氫電漿處理；與定義一源極與一汲極於該主動層上；對該半導體元件進行一退火處理，其中該退火處理所使用的一退火溫度係介於攝氏300至450度；置放該半導體元件於一反應腔中，其中該反應腔內之溫度與壓力係分別介於攝氏100至200度與1500至3000磅/平方英寸間；以及通入一超臨界流體於該反應腔中，以修飾該半導體元件的該複數個缺陷，其中該超臨界流體係由氨氣、氮氣、氫氣與水氣群組中所選出，以及該超臨界流體包含一修飾劑。