用於金屬編碼唯讀記憶體中消除耦合雜訊干擾之方法
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | 200623143 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 張孟凡 | en_US |
| dc.contributor.author | 溫 岸 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:13:29Z | |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:13:29Z | |
| dc.date.issued | 2006-07-01 | en_US |
| dc.description.abstract | 本發明提出一種用於金屬編碼唯讀記憶體中消除耦合雜訊干擾之方法，此金屬編碼唯讀記憶體包括複數條字元線、複數條位元線、複數個預充電電晶體以及複數個緊固電晶體。當這些位元線其中之一被選取時，相鄰兩側之位元線藉由緊固電晶體而被緊固(clamping)至一固定之電壓值(VDD或是GND或是其他電壓)，這種緊固方法於這些鄰近位元線上不會產生壓降以及能同時於所選擇之位元線上除去耦合雜訊，進而除去高速金屬編碼唯讀記憶體中耦合雜訊所引起之讀碼失敗以及達到較高的速度。 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | G11C007/02 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/104174 | |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 用於金屬編碼唯讀記憶體中消除耦合雜訊干擾之方法 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |