以活性離子侵蝕法做GaAs閘侵蝕和孔洞侵蝕製程之研究

Abstract

活性離子侵蝕(Reactive Ion Etch)是砷化鎵元件製 程中很重要的一環,其應用主要用在GaAs的蝕刻方 面,由於元素成份差異極大,且牽涉到影響GaAs元件 本身Active Layer的閘侵蝕,因此尚有極大的研究空 間.一般活性離子侵蝕砷化鎵不同成分磊晶層,除 前述之閘侵蝕外,尚有Via Hole Etch,在此項蝕刻中, 活性離子須穿過不同成分之磊晶層,直達 Metallization Layer.閘侵蝕和Via Hole Etch之最大區別,即在於不同磊晶 層蝕刻速率Selectivity(選擇性侵蝕)差別越大越好, 而Via Hole Etch則無此蝕刻率區別之必要,以往之GaAs Etch,常以CCl/sub 2/F/sub 2//F/sub 2/為之,但在Gate Recess 中�因CCl/sub 2/F/sub 2//F/sub 2/會有Polymer殘留.� Reproducibility差.�CCl/sub 2/F/sub 2/會破壞大氣臭氧 層.因此一般公司及研究機構都在尋求新的腐蝕 性氣體做為此方面應用的代替品.本計畫擬以不同之氣體對不同元素及成份之磊晶 層,做蝕刻速率及反應機構研究,以為應用在元件 閘侵蝕和Via Hole Etch之基礎.所採用反應氣體,包括 BCl/sub 3/,Cl/sub 2/,SiCl/sub 4/,CHCl/sub3/,CH/sub 4/,BF/sub 3 /,CF/sub 4/等,從事對三五族磊晶層,包括GaAs,AlGaAs, InGaP,InGaAs,等不同磊晶層蝕刻速率研究.